2020.07.29 14:15
2020. 07.
한국연구재단에서 수행하는 차세대지능형반도체기술개발사업(원천기술개발사업)에 본 연구실이 총괄 책임으로써 제출한 과제가 최종 선정되었습니다.
국문과제명: 저온 에피 및 재결정화 공정 기반 Si/SiGe 채널 M3D 집적 소자 및 회로 아키텍쳐 기술 개발
영문과제명: Development of M3D integration device with Si/SiGe channel and circuit architecture technology based on low temperature epitaxial growth and recrystallization process
연구기간: 2020. 7. 1 - 2023. 2. 28 (32개월)
연구비 총액: 29.7억원
총괄 책임자: 유현용