PATENTS
2023
- 유현용, 진동규 "강유전체 기반의 반도체 소자 및 이의 제조 방법", 출원일 2023.11.17, 출원번호 18/512,857 미국 (2023)
- 유현용, 한규현 "2차원 반도체 트랜지스터, 이를 구비하는 2차원 반도체 소자 및 이의 제조 방법", 출원일 2023.09.21, 출원번호 18/371,160 미국 (2023)
2022
- 유현용, 정승근 "반도체 소자", 출원일 2022.11.29, 출원번호 202211510498.7 중국 (2022)
- 유현용, 정승근 "반도체 소자", 출원일 2022.09.29, 출원번호 17/956,191 미국 (2022)
- 유현용, 한규현 "자연 산화막을 이용하여 중간층을 형성하는 터널링 소자 제작 방법", 출원일 2022.09.02, 출원번호 17/909,055 미국 (2022)
- 유현용, 정승근 "금속-유전층-반도체 구조가 적용된 무접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법", 등록일 2022.08.30, 등록번호 11430889 미국 (2022)
- 유현용, 한규현 "감소된 히스테리시스를 갖는 2차원 반도체 트랜지스터 및 이의 제조 방법", 출원일 2022.06.17, 출원번호 17/786,655 미국 (2022)
- 유현용, 김승환 "반도체 소자 및 이의 제조 방법", 출원일 2022.01.05, 출원번호 17/624,954 미국 (2022)
2021
- 유현용, 정승근, 손무영 "리세스 게이트 구조를 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법", 출원일 2021.09.21, 출원번호 17/480,293 미국 (2021)
2019
- 유현용, 정승근 "금속-유전층-반도체 구조가 적용된 무접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법", 출원일 2019.07.29, 출원번호 16/524,585 미국 (2019)
- 유현용, 장환준 "암전류가 감소된 포토 다이오드 및 이의 제조 방법", 등록일 2019.06.04, 등록번호 10312399 미국 (2019)
2018
- 유현용, 장환준 "암전류가 감소된 포토 다이오드 및 이의 제조 방법", 출원일 2018.03.06, 출원번호 15/913,840 미국 (2018)